【核心提要】 长鑫存储披露创新性4F² DRAM架构，旨在通过结构优化显著提升存储密度并解决漏电等痛点。 公司计划于今年年底推出基于该技术的DDR5 RDIMM产品，旨在攻克服务器内存领域的关键技术壁垒。 近期长鑫在LPDDR6量产及G5平台等方面取得重大进展，全球市场份额稳步提升。 【正文报道】 近日，国内领先的存储芯片制造商长鑫科技（688825.SH）密集披露多项技术突破。在10月10日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇宣布了一项关键的技术进展：公司正式推出名为“4F²”的DRAM（动态随机存取存储器）架构，并计划于今年年底推出采用该技术的首代DDR5 RDIMM产品。 在技术细节上，4F²架构的核心在于对DRAM存储阵列晶体管的创新设计。通过采用具有垂直包围沟道结构的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管，该架构能够提供更强的栅控能力，有效解决当前行业面临的漏电与短沟道效应等技术痛点。同时，这种竖立的晶体管结构有助于实现面积微缩，从而显著提升存储密度。 目前，DRAM行业正朝着高密度方向快速演进。在传统设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。其中，“F”代表制造工艺中的最小特征尺寸，而“4F²”意味着每个单元仅占用4倍最小特征尺寸的平方。相比于目前行业主流的6F²架构，4F²能够显著增加单位面积内的晶体管数量，从而大幅提升存储密度。 此外，4F²技术还针对传统一体化制造中的工艺瓶颈提供了解决方案。早期该技术侧重于2D维度设计，但由于存储阵列与外围逻辑电路在生产过程中高度耦合，性能往往逊色于6F²。随着微缩难度增加，长鑫推动4F²架构从二维转向三维，通过将DRAM与CMOS制造工艺解耦，并利用晶圆级混合键合（Wafer-level Hybrid Bonding）技术实现高速互联。这种方式能够独立优化逻辑性能和存储单元密度，从而突破传统工艺的限制。据透露，长鑫在4F²架构相关的公开专利族已超过300件，处于行业领先水平。 此次技术的推出，标志着长鑫在战略布局上的重要转向——从侧重消费电子领域向高门槛的服务器内存市场发力。与追求极致速度的消费级产品不同，服务器内存要求极高的稳定性与耐用性，技术和工程壁垒更高。通过引入4F²架构，长鑫旨在利用这一核心技术突破进入高端服务器市场的“硬核”障碍。 除了4F²技术的突破，长鑫近期在其他前沿领域也取得了显著进展。8月底，公司宣布其最新一代低功耗内存LPDDR6已进入量产阶段，成为业内较早实现该项成果的厂商；9月，长鑫存储又宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现量产，其工艺水平已接近全球顶尖水平。 根据市场研究机构Counterpoint的数据显示，按全球DRAM厂商收入计算，长鑫科技在今年第二季度的市场份额为7%，位居全球第四。这一数据反映出长鑫在核心技术的持续突破下，正稳步提升在全球半导体产业链中的地位。 【小编观点】 从4F²架构的推出可以看出，国产存储芯片正在经历从“追赶参数”到“攻克底层工艺瓶颈”的质变。特别是通过“解耦”技术解决制造难题，以及在LPDDR6和G5平台上的快速突破，显示出长鑫正试图构建全方位的技术护城河。对于国内半导体产业而言，进入高门槛的服务器内存领域是建立自主可控供应链的关键一步。 背景链接： 4F²架构与6F²架构对比分析 晶圆级混合键合（Wafer-level Hybrid Bonding）技术综述
【核心提要】
【正文报道】
近日，国内领先的存储芯片制造商长鑫科技（688825.SH）密集披露多项技术突破。在10月10日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇宣布了一项关键的技术进展：公司正式推出名为“4F²”的DRAM（动态随机存取存储器）架构，并计划于今年年底推出采用该技术的首代DDR5 RDIMM产品。
在技术细节上，4F²架构的核心在于对DRAM存储阵列晶体管的创新设计。通过采用具有垂直包围沟道结构的VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管，该架构能够提供更强的栅控能力，有效解决当前行业面临的漏电与短沟道效应等技术痛点。同时，这种竖立的晶体管结构有助于实现面积微缩，从而显著提升存储密度。
目前，DRAM行业正朝着高密度方向快速演进。在传统设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。其中，“F”代表制造工艺中的最小特征尺寸，而“4F²”意味着每个单元仅占用4倍最小特征尺寸的平方。相比于目前行业主流的6F²架构，4F²能够显著增加单位面积内的晶体管数量，从而大幅提升存储密度。
此外，4F²技术还针对传统一体化制造中的工艺瓶颈提供了解决方案。早期该技术侧重于2D维度设计，但由于存储阵列与外围逻辑电路在生产过程中高度耦合，性能往往逊色于6F²。随着微缩难度增加，长鑫推动4F²架构从二维转向三维，通过将DRAM与CMOS制造工艺解耦，并利用晶圆级混合键合（Wafer-level Hybrid Bonding）技术实现高速互联。这种方式能够独立优化逻辑性能和存储单元密度，从而突破传统工艺的限制。据透露，长鑫在4F²架构相关的公开专利族已超过300件，处于行业领先水平。
此次技术的推出，标志着长鑫在战略布局上的重要转向——从侧重消费电子领域向高门槛的服务器内存市场发力。与追求极致速度的消费级产品不同，服务器内存要求极高的稳定性与耐用性，技术和工程壁垒更高。通过引入4F²架构，长鑫旨在利用这一核心技术突破进入高端服务器市场的“硬核”障碍。
除了4F²技术的突破，长鑫近期在其他前沿领域也取得了显著进展。8月底，公司宣布其最新一代低功耗内存LPDDR6已进入量产阶段，成为业内较早实现该项成果的厂商；9月，长鑫存储又宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现量产，其工艺水平已接近全球顶尖水平。
根据市场研究机构Counterpoint的数据显示，按全球DRAM厂商收入计算，长鑫科技在今年第二季度的市场份额为7%，位居全球第四。这一数据反映出长鑫在核心技术的持续突破下，正稳步提升在全球半导体产业链中的地位。
【小编观点】
从4F²架构的推出可以看出，国产存储芯片正在经历从“追赶参数”到“攻克底层工艺瓶颈”的质变。特别是通过“解耦”技术解决制造难题，以及在LPDDR6和G5平台上的快速突破，显示出长鑫正试图构建全方位的技术护城河。对于国内半导体产业而言，进入高门槛的服务器内存领域是建立自主可控供应链的关键一步。
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