11 月 28 日消息，韩媒 Business Korea 昨日（11 月 27 日）发布博文，报道称三星电子宣布重大组织架构调整，正式解散成立仅一年的 HBM（高带宽内存）特别开发团队，并将相关人员与业务并入 DRAM 开发部门下的设计团队。
IT之家援引博文介绍，在昨日举办的高管通报会上，三星电子官宣重组半导体（DS）部门，核心变动在于撤销了去年 7 月专门成立的 HBM 开发团队，将相关研发人员全数划归至 DRAM 开发部门旗下的设计团队。
该媒体认为 HBM（高带宽内存）业务将不再作为独立“特种部队”存在，而是回归存储芯片的主流研发体系，进一步增强与 DRAM 产品的协同效应。
伴随架构调整，此前领导 HBM 开发团队的副社长孙永秀（Son Young-soo）被任命为 DRAM 部门下属的设计团队负责人。在新的架构下，孙永秀将继续带领原班人马，专注于 HBM4 及 HBM4E 等下一代高性能存储产品的研发工作。
此次重组距离该团队成立仅过去一年多。去年 5 月，全永铉（Jeon Young-hyun）出任 DS 部门负责人后，为应对在 HBM 市场落后于 SK 海力士的被动局面，紧急组建了该独立团队以集中攻关。
业界普遍解读，如今将其重新并入 DRAM 部门，释放了强烈的积极信号：三星判定其在 HBM4 等下一代产品上已掌握核心竞争力，渡过了需要“集中力量补短板”的应急阶段，转而追求技术底层的深度整合。
昨天，我们讲了三星HBM3E获得行业大单，HBM4内存即将完成量产，形式一片大好！而随着三星HBM领域的“攻伐”基本尘埃落定，三星也开始做一些“善后工作”了。在年初，为了攻坚HBM4内存而成立的独立团队，在近期被传闻解散，相关人员将回归到DRAM团队继续进行设计工作。
这支攻坚队可以说是为三星创造了逆袭的基础，如今大业将成突然解散？难道是过河拆桥？？
最近DRAM供应短缺引起了多个行业的关注，对于普通消费者而言，受到的影响可能是最大的。过去几周里，内存价格飙升到几乎“负担不起”的程度，而且这种情况不仅仅限于2025年末这段时间，大概率会贯穿整个2026年，可能要到2027年下半年才有所缓解。原因除了制造商控制产量外，还将重心放在了高利润的HBM产品上，普通DRAM显然处于次要的位置。
据TECHPOWERUP报道，三星的HBM产品线正在从HBM3和HBM3E过渡到HBM4，这不仅仅是升级，而且是一次产能重新分配的过程。三星内部讨论的重点是，将目前约30%到40%的1αnm（第四代10nm级别）DRAM工艺转换为用于通用DRAM的1bnm（第五代10nm级别）DRAM工艺生产线，包括了DDR5、LPDDR5X、LPDDR6和GDDR7内存产品。
三星和SK海力士类似，之前为了更高的利润率，将注意力放在HBM产品，不过现在三星内部评估显示，12层堆叠HBM3E芯片的营业利润约为30%，而通用DRAM的最近预期已超过60%。除了利润的差异外，最大客户对12层堆叠HBM3E芯片增量需求有限，以及平均售价大幅下滑的预期，都削弱了三星扩大HBM3E产能的动力。
随着DRAM需求创历史新高，对于三星来说只是多赚和少赚的区别，所有的产能都会被吸收。超大规模数据中心除了需要HBM外，像DDR5这样的标准DRAM来也有很高的需求。由于转换产能和制造需要几个月的时间，供应链暂时不会有那么快的变化。
但过河拆桥又不太可能，在我看来，HBM攻坚队的解散和这则HBM3E产能转移的消息，应该是一样的原因。三星在HBM内存领域优势已经基本形成，HBM3这一代产品面临更新换代，HBM4又为形成产量，自然不需要专门的团队随时待命了。而至于产能，只能说现在DRAM涨价带来的利润率暴涨，很可能已经令其利润接近HBM3E了。不论是团队解散还是产能转移，本质上都是利益驱使的转向罢了。
今年10月，三星公布了截至2025年9月30日的2025年第三季度财报，显示设备解决方案部门（DS）在HBM3E和eSSD的强劲增长的推动下，销售额环比增长19%，其中存储器业务的季度销售额创下历史新高。考虑到过去一段时间里DRAM和NAND闪存价格大幅飙升，而且趋势很可能延续到2026年全年，三星存储器业务的表现再创新高几乎是板上钉钉的事。
据Wccftech报道，最近有分析报告指出，三星2026年的营业利润预计将达到90万亿至100万亿韩元，多重因素推动其业绩增长。
随着三星向英伟达供应HBM4，在高附加值HBM市场的份额将会提升，结合通用DRAM价格预计上涨56%，整个DRAM业务的营收和利润将有明显提升。虽然三星并没有扩产，甚至在2025年下半年选择了减产，但是NAND闪存价格上涨也将大幅提高三星的收入。随着特斯拉等企业下单三星的2nm工艺，加上良品率持续改善，低迷已久的代工业务也迎来了新生，如果能建立稳固的客户基础，很可能会拉动业绩增长。
此外，谷歌TPU订单增加以及Galaxy系列智能手机产品线销量提升都有助于三星进一步提高营业利润。
对于三星来说，存储产品整体缺货涨价是一个重要的契机，再加上HBM内存的攻坚成功、自有的先进半导体制造工艺等，整体促成了一个不太一样的三星。分析机构也对这样的三星做出了高度评价，预计三星2026年的营业利润预计将达到90万亿至100万亿韩元，苦了两年的三星终于是过上好日子了啊！就是不知道玩家的好日子什么时候到……
新闻一：“救火队”成立一年多被撤销，三星 HBM 研发并入 DRAM 回归常态化运营
11 月 28 日消息，韩媒 Business Korea 昨日（11 月 27 日）发布博文，报道称三星电子宣布重大组织架构调整，正式解散成立仅一年的 HBM（高带宽内存）特别开发团队，并将相关人员与业务并入 DRAM 开发部门下的设计团队。
IT之家援引博文介绍，在昨日举办的高管通报会上，三星电子官宣重组半导体（DS）部门，核心变动在于撤销了去年 7 月专门成立的 HBM 开发团队，将相关研发人员全数划归至 DRAM 开发部门旗下的设计团队。
该媒体认为 HBM（高带宽内存）业务将不再作为独立“特种部队”存在，而是回归存储芯片的主流研发体系，进一步增强与 DRAM 产品的协同效应。
伴随架构调整，此前领导 HBM 开发团队的副社长孙永秀（Son Young-soo）被任命为 DRAM 部门下属的设计团队负责人。在新的架构下，孙永秀将继续带领原班人马，专注于 HBM4 及 HBM4E 等下一代高性能存储产品的研发工作。
此次重组距离该团队成立仅过去一年多。去年 5 月，全永铉（Jeon Young-hyun）出任 DS 部门负责人后，为应对在 HBM 市场落后于 SK 海力士的被动局面，紧急组建了该独立团队以集中攻关。
业界普遍解读，如今将其重新并入 DRAM 部门，释放了强烈的积极信号：三星判定其在 HBM4 等下一代产品上已掌握核心竞争力，渡过了需要“集中力量补短板”的应急阶段，转而追求技术底层的深度整合。
昨天，我们讲了三星HBM3E获得行业大单，HBM4内存即将完成量产，形式一片大好！而随着三星HBM领域的“攻伐”基本尘埃落定，三星也开始做一些“善后工作”了。在年初，为了攻坚HBM4内存而成立的独立团队，在近期被传闻解散，相关人员将回归到DRAM团队继续进行设计工作。
这支攻坚队可以说是为三星创造了逆袭的基础，如今大业将成突然解散？难道是过河拆桥？？
新闻2：三星正在重新规划HBM产能，或将部分HBM3E转换为普通DRAM满足市场需求
最近DRAM供应短缺引起了多个行业的关注，对于普通消费者而言，受到的影响可能是最大的。过去几周里，内存价格飙升到几乎“负担不起”的程度，而且这种情况不仅仅限于2025年末这段时间，大概率会贯穿整个2026年，可能要到2027年下半年才有所缓解。原因除了制造商控制产量外，还将重心放在了高利润的HBM产品上，普通DRAM显然处于次要的位置。
据TECHPOWERUP报道，三星的HBM产品线正在从HBM3和HBM3E过渡到HBM4，这不仅仅是升级，而且是一次产能重新分配的过程。三星内部讨论的重点是，将目前约30%到40%的1αnm（第四代10nm级别）DRAM工艺转换为用于通用DRAM的1bnm（第五代10nm级别）DRAM工艺生产线，包括了DDR5、LPDDR5X、LPDDR6和GDDR7内存产品。
三星和SK海力士类似，之前为了更高的利润率，将注意力放在HBM产品，不过现在三星内部评估显示，12层堆叠HBM3E芯片的营业利润约为30%，而通用DRAM的最近预期已超过60%。除了利润的差异外，最大客户对12层堆叠HBM3E芯片增量需求有限，以及平均售价大幅下滑的预期，都削弱了三星扩大HBM3E产能的动力。
随着DRAM需求创历史新高，对于三星来说只是多赚和少赚的区别，所有的产能都会被吸收。超大规模数据中心除了需要HBM外，像DDR5这样的标准DRAM来也有很高的需求。由于转换产能和制造需要几个月的时间，供应链暂时不会有那么快的变化。
但过河拆桥又不太可能，在我看来，HBM攻坚队的解散和这则HBM3E产能转移的消息，应该是一样的原因。三星在HBM内存领域优势已经基本形成，HBM3这一代产品面临更新换代，HBM4又为形成产量，自然不需要专门的团队随时待命了。而至于产能，只能说现在DRAM涨价带来的利润率暴涨，很可能已经令其利润接近HBM3E了。不论是团队解散还是产能转移，本质上都是利益驱使的转向罢了。
新闻3：三星明年营业利润或大幅提升，2nm良品率改善及存储器价格上涨推动增长
今年10月，三星公布了截至2025年9月30日的2025年第三季度财报，显示设备解决方案部门（DS）在HBM3E和eSSD的强劲增长的推动下，销售额环比增长19%，其中存储器业务的季度销售额创下历史新高。考虑到过去一段时间里DRAM和NAND闪存价格大幅飙升，而且趋势很可能延续到2026年全年，三星存储器业务的表现再创新高几乎是板上钉钉的事。
据Wccftech报道，最近有分析报告指出，三星2026年的营业利润预计将达到90万亿至100万亿韩元，多重因素推动其业绩增长。
随着三星向英伟达供应HBM4，在高附加值HBM市场的份额将会提升，结合通用DRAM价格预计上涨56%，整个DRAM业务的营收和利润将有明显提升。虽然三星并没有扩产，甚至在2025年下半年选择了减产，但是NAND闪存价格上涨也将大幅提高三星的收入。随着特斯拉等企业下单三星的2nm工艺，加上良品率持续改善，低迷已久的代工业务也迎来了新生，如果能建立稳固的客户基础，很可能会拉动业绩增长。
此外，谷歌TPU订单增加以及Galaxy系列智能手机产品线销量提升都有助于三星进一步提高营业利润。
对于三星来说，存储产品整体缺货涨价是一个重要的契机，再加上HBM内存的攻坚成功、自有的先进半导体制造工艺等，整体促成了一个不太一样的三星。分析机构也对这样的三星做出了高度评价，预计三星2026年的营业利润预计将达到90万亿至100万亿韩元，苦了两年的三星终于是过上好日子了啊！就是不知道玩家的好日子什么时候到……